Характеристики

PTFA192001F V4 — IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: LDMOS  •  Частота: 1.99GHz  •  Усиление: 15.9dB  •  Номинальное напряжение: 65V  •  Номинал тока: 10µA  •  Ток - тестовый: 1.8A  •  Напряжение - тестовое: 30В  •  P1dB: 50Вт  •  Встречается под наим.: SP000376071
Архив документации

Поставщики «PTFA192001F V4»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
PTFA192001F V4 R250 (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON10948
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
PTFA192001FV4FWSA1 (IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Подробнее)Infineon Technologies129207
PTFA192001F V4 R250 (IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Подробнее)Infineon Technologies129825
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
PTFA192001F V4 (микросхема интегральная электронная IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)14946
PTFA192001F V4 R250 (микросхема интегральная электронная IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)14947
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
PTFA192001F V4от 7 дней
PTFA192001F V4 R250от 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
PTFA192001F V4от 7 дней
PTFA192001F V4 R250от 7 дней