Характеристики

PTFA212001F V4 — IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: LDMOS  •  Частота: 2.14GHz  •  Усиление: 15.8dB  •  Номинальное напряжение: 65V  •  Номинал тока: 10µA  •  Ток - тестовый: 1.6A  •  Напряжение - тестовое: 30В  •  P1dB: 50Вт  •  Встречается под наим.: SP000376079
Архив документации

Поставщики «PTFA212001F V4»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global LimitedPTFA212001FV4XWSA1 (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON–10980
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!PTFA212001F V4 R250 (микросхема интегральная электронная IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)–14254
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!PTFA212001F V4 (микросхема интегральная электронная IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)–14258
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!PTFA212001FV4XWSA1 (IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Подробнее)Infineon Technologies–130093
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!PTFA212001FV4R250XTMA1 (IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Подробнее)Infineon Technologies–131668
ООО "АСПЕКТ"PTFA212001F V4––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"PTFA212001F V4 R250––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"PTFA212001F V4––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"PTFA212001F V4 R250––от 7 дней