Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

RJK0365DPA-00#J0 — MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

Производитель: Renesas Technology America  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 15A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.6nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1180pF @ 10V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 30W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: WPAK  •  Встречается под наим.: RJK0365DPA-00#J0DKR
Архив документации

   


Поставщики «RJK0365DPA-00#J0»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "Интегральные схемы"RJK0365DPA-00#J0 от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"RJK0365DPA-00#J0 от 7 дней
Icseek Global LimitedRJK0365DPA-00-J0
Оригинальный и наличный и новый
RENESAS 5296
Icseek Global LimitedRJK0365DPA-00#J0
Оригинальный и наличный и новый
RENESAS 5296
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!RJK0365DPA-00-J0
yпаковка: TDSON-8; год: 22+
RENESAS/ 45000
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!RJK0365DPA-00#J0
микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 30V 30A WPAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21
Renesas Electronics America 27471


Контактная информация

КомпанияОфисТелефоныE-mailОтзывы 
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedШэньчжэнь(86) 18938853596, Факс: (0755) 825698150  0 Скрыть
Icseek Global LimitedШэньчжэнь(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908)0  0 Скрыть
ООО "АН-ЧИП"Санкт-Петербург(812) 922-25-390  0 Скрыть
ООО "АСПЕКТ"Санкт-Петербург(812) 309-89-320  0 Скрыть
ООО "Интегральные схемы"Санкт-Петербург(812) 448-53-820  0 Скрыть
«RJK0365DPA-00#J0» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 2170 отечественных и 777 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать