Характеристики

SI1013R-T1-GE3 — MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 20V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 350mA  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 150mW  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini  •  Встречается под наим.: SI1013R-T1-GE3CT
Архив документации

Поставщики «SI1013R-T1-GE3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.SI1013R-T1-GE3 (22+; год: 53558)VISHAY()75$–
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!SI1013R-T1-GE3 (MOSFET 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V Подробнее)Vishay Siliconix0.387$99049
Дельта ЭлектроникаSI1013R-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 350мА [SC-75A]–27.5 р.30
Дельта ЭлектроникаSI1013R-T1-GE3–26.5 р.6-8 недель
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!SI1013R-T1-GE3Vishay–3066
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!SI1013R-T1-GE3 (yпаковка: SOT523; год: 22+)VISHAY/–45000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!SI1013R-T1-GE3 (MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A Подробнее)Vishay Siliconix–138926
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDSI1013R-T1-GE3VISHAY–4363
HK CARLACCI TRADING CO.,LIMITEDСвежие данные!SI1013R-T1-GE3 (yпаковка: SC-75A)Vishay–6126
ООО "Интегральные схемы"SI1013R-T1-GE3––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"SI1013R-T1-GE3––от 7 дней
Icseek Global LimitedSI1013R-T1-GE3 (Оригинальный и наличный и новый)Vishay–5249
RYX ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!SI1013R-T1-GE3 (yпаковка: SC-75A)Vishay–778