Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 870mA, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 12V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 870mA  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 170mW  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666  •  Встречается под наим.: SI1039X-T1-E3DKR