Характеристики

SI1067X-T1-GE3 — MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.06A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 20V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.06A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 375pF @ 10V  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 236mW  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
Архив документации

Поставщики «SI1067X-T1-GE3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
SI1067X-T1-GE3 (Оригинальный и наличный и новый)VISHAY5249
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
SI1067X-T1-GE3Vishay3066
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
SI1067X-T1-GE3 (yпаковка: SOT563; год: 22+)VISHAY/45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
SI1067X-T1-GE3 (MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6 Подробнее)Vishay Siliconix161976
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
SI1067X-T1-GE3от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
SI1067X-T1-GE3от 7 дней