Характеристики | Производитель: Vishay/Siliconix • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.06A, 4.5V • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 5V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.06A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 375pF @ 10V • FET Polarity: P-Channel • FET Feature: Logic Level Gate • Power - Max: 236mW • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 |
Архив документации | |
Поставщики «SI1067X-T1-GE3» | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | Icseek Global Limited, Шэньчжэнь (86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net | | SI1067X-T1-GE3 (Оригинальный и наличный и новый) | VISHAY | – | 5249 | ООО "ЕК-Компонент", Москва (495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru | | SI1067X-T1-GE3 | Vishay | – | 3066 | HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь (86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com | | SI1067X-T1-GE3 (yпаковка: SOT563; год: 22+) | VISHAY/ | – | 45000 | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong (86) 13512338801, sales8@digi-ic.com | | SI1067X-T1-GE3 (MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6 Подробнее) | Vishay Siliconix | – | 161976 | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | SI1067X-T1-GE3 | – | – | от 7 дней | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | SI1067X-T1-GE3 | – | – | от 7 дней |
|