Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 1.2A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.2A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 385pF @ 15V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 236mW  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666  •  Встречается под наим.: SI1070X-T1-E3CT