Характеристики

SI1426DH-T1-E3 — MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.6A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363  •  Встречается под наим.: SI1426DH-T1-E3TR
Архив документации
  • doc на сайте vishay.com

Поставщики «SI1426DH-T1-E3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
SI1426DH-T1-E3 (Оригинальный и наличный и новый)VISHAY–5249
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
SI1426DH-T1-E3Vishay–6066
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
SI1426DH-T1-E3 (MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6 Подробнее)Vishay Siliconix–161199
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED, Changsha
(731) 85241908, Факс: (731) 85241908, claire2022@hkicstock.com
SI1426DH-T1-E3 (год: 0838+)VISHAY–3630
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
SI1426DH-T1-E3 (22+; год: 21542)VISHAY706$–
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
SI1426DH-T1-E3––от 7 дней
SI1426DH-T1-E3*––от 7 дней
SI1426DH-T1-E3----CALLF––от 7 дней
SI1426DH-T1-E3-PBF––от 7 дней
SI1426DH-T1-E3.––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
SI1426DH-T1-E3––от 7 дней
SI1426DH-T1-E3*––от 7 дней
SI1426DH-T1-E3----CALLF––от 7 дней
SI1426DH-T1-E3-PBF––от 7 дней
SI1426DH-T1-E3.––от 7 дней