Характеристики

SI1470DH-T1-E3 — MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 3.8A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.1A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 510pF @ 15V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 2.8W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363  •  Встречается под наим.: SI1470DH-T1-E3DKR
Архив документации
  • doc на сайте vishay.com

Поставщики «SI1470DH-T1-E3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED, HongKong
(852) 8191 1802, info@bettlink.com
SI1470DH-T1-E3 (Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 6-Pin SC-70 T/R Подробнее)Vishay Siliconix1.3424$3158
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
SI1470DH-T1-E3 (Оригинальный и наличный и новый)Vishay5249
"Б-Союз", г. Москва
(901) 5336582, komplekt@el-prom.ru
угловых перемещений МУ-62 +-10% 10мам. опт: 20000 р.2
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
SI1470DH-T1-E3 (MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6 Подробнее)Vishay Siliconix161202
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED, Changsha
(731) 85241908, Факс: (731) 85241908, claire2022@hkicstock.com
SI1470DH-T1-E3 (год: 14+)VISHAY421
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
SI1470DH-T1-E3от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
SI1470DH-T1-E3от 7 дней