Характеристики

SI1472DH-T1-E3 — MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 4.2A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.6A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 380pF @ 15V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 2.8W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363  •  Встречается под наим.: SI1472DH-T1-E3TR
Архив документации
  • doc на сайте vishay.com

Поставщики «SI1472DH-T1-E3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!SI1472DH-T1-E3 (MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6 Подробнее)Vishay Siliconix161204
ООО "АСПЕКТ"SI1472DH-T1-E3от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"SI1472DH-T1-E3от 7 дней