Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 40V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 540pF @ 20V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 750mW  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  •  Встречается под наим.: SI2318DS-T1-E3CT