Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) ![](/static/photo/mini/vishay/124227.gif) Производитель: Vishay/Siliconix • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Серия: TrenchFET® • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 5V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A • FET Polarity: P-Channel • FET Feature: Logic Level Gate • Power - Max: 1.14W • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: 6-TSOP • Встречается под наим.: SI3465DV-T1-E3CT |