Характеристики | Производитель: Vishay/Siliconix • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Серия: TrenchFET® • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.61 Ohm @ 900mA, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 950mA • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 50V • FET Polarity: P-Channel • FET Feature: Logic Level Gate • Power - Max: 3.2W • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: 6-TSOP • Встречается под наим.: SI3475DV-T1-E3TR |
Архив документации | |
Поставщики «SI3475DV-T1-E3» | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong (86) 13512338801, sales8@digi-ic.com | | SI3475DV-T1-E3 (MOSFET P-CH 200V 950MA 6TSOP Подробнее) | Vishay Siliconix | – | 161225 | King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen (86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com | | SI3475DV-T1-E3 code AI (22+; год: 1050) | VISHAY | 236$ | – | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | SI3475DV-T1-E3 | – | – | от 7 дней | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | SI3475DV-T1-E3 | – | – | от 7 дней |
|