Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5.1A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 20V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.9A  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1.1W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 6-TSOP  •  Встречается под наим.: SI3867DV-T1-E3DKR