Характеристики

SI4446DY-T1-E3 — MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5.2A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 40V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.9A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 20V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1.1W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Width)  •  Встречается под наим.: SI4446DY-T1-E3DKR
Архив документации
  • doc на сайте vishay.com

Поставщики «SI4446DY-T1-E3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
SI4446DY-T1-E3 (Оригинальный и наличный и новый)VISHAY–5249
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
SI4446DY-T1-E3Vishay–3994
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
SI4446DY-T1-E3 (yпаковка: SOP-8; год: 22+)VISAHY–45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
SI4446DY-T1-E3 (MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO Подробнее)Vishay Siliconix–161243
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED, Changsha
(731) 85241908, Факс: (731) 85241908, claire2022@hkicstock.com
SI4446DY-T1-E3 (год: 1217+)VISHAY–1448
Дельта Электроника, Москва
(495) 660-36-02, Факс: (495) 660-36-02, popov@radel.ru
SI4446DY-T1-E3–25.12 р.6-8 недель
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
SI4446DY-T1-E3––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
SI4446DY-T1-E3––от 7 дней