Характеристики

SI4463BDY-T1-E3 — MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 13.7A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 20V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.8A  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1.5W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Width)  •  Встречается под наим.: SI4463BDY-T1-E3DKR
Архив документации

Поставщики «SI4463BDY-T1-E3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
HK CARLACCI TRADING CO.,LIMITED, Shenzhen
(86) 755 88822285, Факс: (86) 755 83957852, harry@ic-clc.com
SI4463BDY-T1-E3 (yпаковка: SOIC-8_)Vishay–6126
YUHUA TECHNOLOGY,
(86) 18938848023, isabella@hk-yuhua.com
SI4463BDY-T1-E3 (China HongKong - 3 days; yпаковка: SOP8; год: 21+)VISHAY–2500
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
SI4463BDY-T1-E3 (Оригинальный и наличный и новый)VISHAY–5249
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
Si4463BDY-T1-E3Vishay–3956
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
SI4463BDY-T1-E3 (MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO Подробнее)Vishay Siliconix–132141
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED, Changsha
(731) 85241908, Факс: (731) 85241908, claire2022@hkicstock.com
SI4463BDY-T1-E3 (год: 17+)VISHAY–4132
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
SI4463BDY-T1-E3 (22+; год: 3500)VISHAY()8$–
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
SI4463BDY-T1-E3––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
SI4463BDY-T1-E3––от 7 дней