Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) ![](/static/photo/mini/vishay/124306.gif) Производитель: Vishay/Siliconix • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Серия: TrenchFET® • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5.2A, 4.5V • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.2A • FET Polarity: P-Channel • FET Feature: Logic Level Gate • Power - Max: 1.3W • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: 1206-8 ChipFET™ • Встречается под наим.: SI5401DC-T1-E3TR |
Архив документации | ![Скрыть](/static/search/close.gif) |
Поставщики «SI5401DC-T1-E3» | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong (86) 13512338801, sales8@digi-ic.com | ![Свежая информация по складу!](/static/search/flag_fresh.gif) | SI5401DC-T1-E3 (MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8 Подробнее) | Vishay Siliconix | – | 161262 | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | ![Золотой партнер!](/static/search/flag_gold.gif) | SI5401DC-T1-E3 | – | – | от 7 дней | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | ![Золотой партнер!](/static/search/flag_gold.gif) | SI5401DC-T1-E3 | – | – | от 7 дней |
|