Характеристики

SI5447DC-T1-E3 — MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 3.5A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 20V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1.3W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 1206-8 ChipFET™  •  Встречается под наим.: SI5447DC-T1-E3DKR
Архив документации
  • doc на сайте vishay.com

Поставщики «SI5447DC-T1-E3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
SI5447DC-T1-E3 (Оригинальный и наличный и новый)VISHAY–4325
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
SI5447DC-T1-E3Vishay–2066
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
Si5447DC-T1-E3 (yпаковка: 1206-8; год: 22+)VISHAY/–45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
SI5447DC-T1-E3 (MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8 Подробнее)Vishay Siliconix–161268
Стандарт СИЗ, Москва
(495) 799-28-33, sale@standartsiz.ru
3329H 10ом 10% подст.резистор RUNTRON 3329H100 (Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.)YAG–Да
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
SI5447DC-T1-E3––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
SI5447DC-T1-E3––от 7 дней