Характеристики

SI5473DC-T1-E3 — MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.9A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 12V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.9A  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1.3W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 1206-8 ChipFET™  •  Встречается под наим.: SI5473DC-T1-E3TR
Архив документации
  • doc на сайте vishay.com

Поставщики «SI5473DC-T1-E3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
SI5473DC-T1-E3Vishay1466
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
SI5473DC-T1-E3 (yпаковка: DFN; год: 22+)VISHAY/45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
SI5473DC-T1-E3 (MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8 Подробнее)Vishay Siliconix161270
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
SI5473DC-T1-E3от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
SI5473DC-T1-E3от 7 дней