Характеристики

SI7120DN-T1-E3 — MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 60V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.3A  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1.5W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: PowerPAK® 1212-8  •  Встречается под наим.: SI7120DN-T1-E3DKR
Архив документации
  • doc на сайте vishay.com

Поставщики «SI7120DN-T1-E3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "Интегральные схемы"SI7120DN-T1-E3––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"SI7120DN-T1-E3----CALLF––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"SI7120DN-T1-E3––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"SI7120DN-T1-E3----CALLF––от 7 дней
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDSI7120DN-T1-E3 (год: 12+)VISHAY–1078
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.SI7120DN-T1-E3 (22+; год: 2078)VISHAY––
Icseek Global LimitedSI7120DN-T1-E3 (Оригинальный и наличный и новый)VISHAY–4325
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!SI7120DN-T1-E3Vishay–966
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!SI7120DN-T1-E3 (yпаковка: QFN8; год: 22+)VISHAY/–45000
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!SI7120DN-T1-E3 (MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8 Подробнее)Vishay Siliconix1.3281$2683