Характеристики

SI7382DP-T1-E3 — MOSFET N-CH 30V 14A PPAK 8SOIC

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 24A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1.8W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: PowerPAK® SO-8  •  Встречается под наим.: SI7382DP-T1-E3DKR
Архив документации
  • doc на сайте vishay.com

Поставщики «SI7382DP-T1-E3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED, HongKong
(852) 8191 1802, info@bettlink.com
SI7382DP-T1-E3 (MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8 Подробнее)Vishay Siliconix0.6812$59996
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
SI7382DP-T1-E3 (Оригинальный и наличный и новый)VISHAY–4325
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
SI7382DP-T1-E3Vishay–3066
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
SI7382DP-T1-E3 (yпаковка: QFN8; год: 22+)VISHAY/–45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
SI7382DP-T1-E3 (MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8 Подробнее)Vishay Siliconix–161293
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED, Changsha
(731) 85241908, Факс: (731) 85241908, claire2022@hkicstock.com
SI7382DP-T1-E3 (год: 09+)VISHAY–5572
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
SI7382DP-T1-E3 (22+; год: 28860)VISHAY––
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
SI7382DP-T1-E3––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
SI7382DP-T1-E3––от 7 дней