Характеристики

SI7403BDN-T1-E3 — MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74 mOhm @ 5.1A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 20V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 8V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 430pF @ 10V  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 9.6W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: PowerPAK® 1212-8  •  Встречается под наим.: SI7403BDN-T1-E3CT
Архив документации
  • doc на сайте vishay.com

Поставщики «SI7403BDN-T1-E3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
LM49100GREVAL (Подробнее)Texas Instruments–35000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
SI7403BDN-T1-E3 (yпаковка: QFN; год: 22+)VISHAY/–45000
VRP1-20E1A0G(REV:C) (yпаковка: SMD; год: 22+)BEI–45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
SI7403BDN-T1-E3 (MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8 Подробнее)Vishay Siliconix–161295
W83960G (REV. B) (IC H/W MONITOR 64LQFP Подробнее)Nuvoton Technology Corporation of America–9081
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED, Changsha
(731) 85241908, Факс: (731) 85241908, claire2022@hkicstock.com
SI7403BDN-T1-E3 (год: 1438+)VISHAY–4831
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
SI7403BDN-T1-E3 (22+; год: 15495)VISHAY––
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
SI7403BDN-T1-E3––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
SI7403BDN-T1-E3––от 7 дней