Характеристики

SI7463DP-T1-GE3 — MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 18.6A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 40V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1.9W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: PowerPAK® SO-8  •  Встречается под наим.: SI7463DP-T1-GE3CT
Архив документации

Поставщики «SI7463DP-T1-GE3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED, HongKong
(852) 8191 1802, info@bettlink.com
SI7463DP-T1-GE3 (MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8 Подробнее)Vishay Siliconix2.4168$8161
YUHUA TECHNOLOGY,
(86) 18938848023, isabella@hk-yuhua.com
SI7463DP-T1-GE3 (China HongKong - 3 days; yпаковка: QFN8; год: 21+)VISHAY6000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
SI7463DP-T1-GE3 (Оригинальный и наличный и новый)Vishay4325
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
SI7463DP-T1-GE3Vishay5455
HK Future Electronic Co.,Ltd, Shenzhen
(+86) 15901986160, evan@hkfuture.net
SI7463DP-T1-GE3 (год: 22+)VISHAY6000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
SI7463DP-T1-GE3 (MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8 Подробнее)Vishay Siliconix132259
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED, Changsha
(731) 85241908, Факс: (731) 85241908, claire2022@hkicstock.com
SI7463DP-T1-GE3 (год: 21+)VISHAY2500
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
SI7463DP-T1-GE3 (22+; год: 7000)VISHAY8$
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
SI7463DP-T1-GE3от 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
SI7463DP-T1-GE3от 7 дней