Характеристики

SI7720DN-T1-GE3 — MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 10A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1790pF @ 15V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 52W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: PowerPAK® 1212-8  •  Встречается под наим.: SI7720DN-T1-GE3TR
Архив документации

Поставщики «SI7720DN-T1-GE3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
SI7720DN-T1-GE3Vishay9066
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
SI7720DN-T1-GE3 (yпаковка: DFN3.3X3.3-8; год: 22+)VISHAY45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
SI7720DN-T1-GE3 (MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 Подробнее)Vishay Siliconix153948
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED, Changsha
(731) 85241908, Факс: (731) 85241908, claire2022@hkicstock.com
SI7720DN-T1-GE3 (год: 10+)VISHAY5882
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
SI7720DN-T1-GE3 (22+; год: 30211)VISHAY8$
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
SI7720DN-T1-GE3от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
SI7720DN-T1-GE3от 7 дней