Характеристики

SI8413DB-T1-E1 — MOSFET P-CH 20V 4.8A 2X2 4-MFP

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 1A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 20V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.8A  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1.47W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 4-MICRO FOOT®CSP  •  Встречается под наим.: SI8413DB-T1-E1TR, SI8413DB-T1-E3
Архив документации
  • doc на сайте vishay.com

Поставщики «SI8413DB-T1-E1»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!SI8413DB-T1-E1 (MOSFET P-CH 20V 4.8A 4MICROFOOT Подробнее)Vishay Siliconix143247
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!SI8413DB-T1-E1Vishay9037
Icseek Global LimitedSI8413DB-T1-E1 (Оригинальный и наличный и новый)VISHAY4325
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.SI8413DB-T1-E1 (22+; год: 108527)VISHAY4$
HSMELECT TECHNOLOGY CO., LIMITEDСвежие данные!SI8413DB-T1-E1 (QFN; год: 09+)VISHAY12000
HSMELECT TECHNOLOGY CO., LIMITEDСвежие данные!SI8413DB-T1-E1 (MFP-4; год: 11+)VISHAY6000
HSMELECT TECHNOLOGY CO., LIMITEDСвежие данные!SI8413DB-T1-E1 (BGA4; год: 10+)VISHAY15000
HSMELECT TECHNOLOGY CO., LIMITEDСвежие данные!SI8413DB-T1-E1 (BGA; год: 11+)VISHAY15000
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDSI8413DB-T1-E1 (год: 09+)VISHAY2150
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!SI8413DB-T1-E1 (yпаковка: XFBGA-4; год: 22+)Vishay55000
ООО "МК"ST13005A npn 400V 4A 75W аналог MJE13005A (б/г) (si8413db-t1-e1 - >для заказа или запроса нажмите на> Подробнее)ST36 р. | м. опт: 33 р. | опт: 30 р.7994
HUAYI (BEIJING) TECHNOLOGY LIMITEDСвежие данные!SI8413DB-T1-E1 (23+)Silicon128
"Б-Союз"Свежие данные!Э8004 350-450 Гц~ 36В кл.4.0 отк , нет этик, в бумаге (год: 78)2
ООО "МК"T162 N1100E0B 42-1E10 (б/г) (si8413db-t1-e1 - с разборки н/упак.= >для заказа или запроса нажмите на> Подробнее)5669 р. | м. опт: 5447 р. | опт: 5225 р.5
ООО "МК"ST13007A (J13007-2,ST13007-2,MJE13007,H13007A) (без диода) (si8413db-t1-e1 - NPN 700/400V, 8A, 80W, 4MHz, 150*C_Транзистор NPN _Цоколевка транзистора 13007 в PDF. TO-220 >для заказа или запроса нажмите на> Подробнее)62 р. | м. опт: 46 р. | опт: 41 р.2 недели
ООО "Интегральные схемы"SI8413DB-T1-E1от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"SI8413DB-T1-E1от 7 дней
"Б-Союз"Свежие данные!Э8004 350-450 Гц~ 36В кл.4.0 отк , нет этик, в бумаге (год: 79)2