Характеристики

SIA417DJ-T1-GE3 — MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 8V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 4V  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 19W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: PowerPAK® SC-70-6  •  Встречается под наим.: SIA417DJ-T1-GE3CT
Архив документации

Поставщики «SIA417DJ-T1-GE3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
SIA417DJ-T1-GE3 (Оригинальный и наличный и новый)VISHAY4325
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
SIA417DJ-T1-GE3Vishay5292
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
SIA417DJ-T1-GE3 (MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6 Подробнее)Vishay Siliconix162011
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED, Changsha
(731) 85241908, Факс: (731) 85241908, claire2022@hkicstock.com
SIA417DJ-T1-GE3 (год: 15+)VISHAYХэЖ3652
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
SIA417DJ-T1-GE3 (22+; год: 74004)VISHAY706$
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
SIA417DJ-T1-GE3от 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
SIA417DJ-T1-GE3от 7 дней