Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

SIB417DK-T1-GE3 — MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5.6A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 8V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.75nC @ 5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 675pF @ 4V  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 13W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: PowerPAK® SC-75-6L  •  Встречается под наим.: SIB417DK-T1-GE3TR
Архив документации

   


Производители
Версия для печати
Страница с результатами, оптимизированная для печати.
Бросить клич!
Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!

Поставщики «SIB417DK-T1-GE3»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "АСПЕКТ"SIB417DK-T1-GE3 от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"SIB417DK-T1-GE3 от 7 дней
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!SIB417DK-T1-GE3
yпаковка: DFN-6(1.6X1.6); год: 22+
Vishay 45000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!SIB417DK-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6 Подробнее
Vishay Siliconix 162019


Контактная информация

КомпанияОфисТелефоныE-mailОтзывы 
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicHong Kong(86) 135123388010  0 Скрыть
SHENZHEN(86) 0755-82535750
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedШэньчжэнь(86) 18938853596, Факс: (0755) 825698150  0 Скрыть
ООО "АСПЕКТ"Санкт-Петербург(812) 309-89-320  0 Скрыть
ООО "Интегральные схемы"Санкт-Петербург(812) 448-53-820  0 Скрыть
«SIB417DK-T1-GE3» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 2170 отечественных и 776 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать