Характеристики | Производитель: Vishay/Siliconix • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Серия: TrenchFET® • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 14A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 77nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3800pF @ 20V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Logic Level Gate • Power - Max: 104W • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: 10-PolarPAK® (S) • Встречается под наим.: SIE832DF-T1-E3TR |
Архив документации | |
Поставщики «SIE832DF-T1-E3» | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong (86) 13512338801, sales8@digi-ic.com | | SIE832DF-T1-E3 (MOSFET N-CH 40V 50A 10POLARPAK Подробнее) | Vishay Siliconix | – | 161327 | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | SIE832DF-T1-E3 | – | – | от 7 дней | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | SIE832DF-T1-E3 | – | – | от 7 дней |
|