Характеристики

SPB02N60C3 — MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK

Производитель: Infineon Technologies  •  Серия: CoolMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.1A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 650V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.5nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 25W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)  •  Встречается под наим.: SPB02N60C3INCT
Архив документации
Возможные аналоги2SK1721, 2SK1746, IRF820S, IRFBC20S, IRFBC30AS, IRFBC30S, STB3NK60ZT4, STB3NB60, STB3NC60   Вся информация »

Поставщики «SPB02N60C3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!SPB02N60C3ATMA1 (MOSFET N-CH 650V 1.8A TO263-3 Подробнее)Infineon Technologies–136217
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!SPB02N60C3 (N-CHANNEL POWER MOSFET Подробнее)Infineon Technologies–135876
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!SPB02N60C3 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)–33465
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!SPB02N60C3Infineon Technologies AG–5066
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDSPB02N60C3 (год: 10+)INFINEON–4877
ИП СоловьевSPB02N60C3INFINEON–Да
XПро-активСвежие данные!SPB02N60C3INFINEON–Да
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.SPB02N60C3 (22+; год: 16632)INFINEON263$–
ООО "Интегральные схемы"SPB02N60C3––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"SPB02N60C3E3045––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"SPB02N60C3_07––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"SPB02N60C3––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"SPB02N60C3E3045––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"SPB02N60C3_07––от 7 дней