Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

SPD04N50C3T — MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: CoolMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 560V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 470pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 50W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63  •  Встречается под наим.: SPD04N50C3XTINCT
Архив документации

   


Поставщики «SPD04N50C3T»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "Интегральные схемы"SPD04N50C3T от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"SPD04N50C3T от 7 дней
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!SPD04N50C3T
микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21
Infineon Technologies (IR) 7929


Контактная информация

КомпанияОфисТелефоныE-mailОтзывы 
ООО "АН-ЧИП"Санкт-Петербург(812) 922-25-390  0 Скрыть
ООО "АСПЕКТ"Санкт-Петербург(812) 309-89-320  0 Скрыть
ООО "Интегральные схемы"Санкт-Петербург(812) 448-53-820  0 Скрыть
«SPD04N50C3T» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 2170 отечественных и 776 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать