Характеристики

SPI11N60S5 — MOSFET N-CH 600V 11A TO-262

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: CoolMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 600V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1460pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 125W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)  •  Встречается под наим.: SP000013033, SPI11N60S5-ND, SPI11N60S5IN, SPI11N60S5X, SPI11N60S5XK
Архив документации

Поставщики «SPI11N60S5»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.SPI11N60S5 (22+; год: 12004)INFINEON262$–
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!SPI11N60S5 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)–8217
Стандарт СИЗСвежие данные!SPI11N60S5 (ST-STI18NM60N) (Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.)––Да
ООО "АСПЕКТ"SPI11N60S5––от 7 дней
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!SPI11N60S5Infineon Technologies AG–10066
ООО "АСПЕКТ"SPI11N60S5E3046––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"SPI11N60S5E8101––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"SPI11N60S5––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"SPI11N60S5E3046––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"SPI11N60S5E8101––от 7 дней
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!SPI11N60S5 (N-CHANNEL POWER MOSFET Подробнее)Infineon Technologies–150551
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!SPI11N60S5BKSA1 (MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3 Подробнее)Infineon Technologies–160463
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDSPI11N60S5 (год: 09+)INFINEON–5500