Характеристики

SPN02N60S5 — MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT-223

Производитель: Infineon Technologies  •  Серия: CoolMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.1A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 600V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 400mA  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 1.8W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA  •  Встречается под наим.: SP000012412, SP000101880, SPN02N60S5T
Архив документации
Возможные аналогиIRFBC30AS   Вся информация »

Поставщики «SPN02N60S5»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!SPN02N60S5Infineon Technologies AG5455
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!SPN02N60S5 (MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223-4 Подробнее)Infineon Technologies160491
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!SPN02N60S5 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT-223 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)8242
ООО "Интегральные схемы"SPN02N60S5от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"SPN02N60S5_05от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"SPN02N60S5от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"SPN02N60S5_05от 7 дней
XПро-активСвежие данные!SPN02N60S5INFДа
ИП СоловьевSPN02N60S5INFДа