Характеристики
SPP07N60CFD
— MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220
Дискретные полупроводники
»
MOSFET транзисторы (одиночные)
Производитель: Infineon Technologies
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Серия: CoolMOS™
•
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 4.6A, 10V
•
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
•
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V
•
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.6A
•
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 790pF @ 25V
•
FET Polarity: N-Channel
•
FET Feature: Standard
•
Power - Max: 83W
•
Mounting Type: Through Hole
•
Package / Case: TO-220
•
Встречается под наим.: SP000264424
Архив документации
SPP07N60CFD_rev1.2.pdf
на сайте infineon.com
Поставщики «SPP07N60CFD»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
SPP07N60CFD
(22+; год: 15130)
Infineon
220$
–
ООО "АН-ЧИП"
SPP07N60CFD
(микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
Infineon Technologies (IR)
–
33703
ООО "ЕК-Компонент"
SPP07N60CFD
Infineon Technologies AG
–
5076
ООО "Интегральные схемы"
SPP07N60CFD
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
SPP07N60CFDXKSA1
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
SPP07N60CFD
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
SPP07N60CFDXKSA1
–
–
от 7 дней
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
SPP07N60CFD
(yпаковка: TO220; год: 22+)
Infineon
–
45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
SPP07N60CFDHKSA1
(MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-3
Подробнее
)
Infineon Technologies
–
162574
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED
SPP07N60CFD
(год: 1035+)
Infineon
–
4710