Характеристики
SPP15N65C3
— MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
Дискретные полупроводники
»
MOSFET транзисторы (одиночные)
Производитель: Infineon Technologies
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Серия: CoolMOS™
•
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 9.4A, 10V
•
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
•
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V
•
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A
•
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 25V
•
FET Polarity: N-Channel
•
FET Feature: Standard
•
Power - Max: 156W
•
Mounting Type: Through Hole
•
Package / Case: TO-220-3
•
Встречается под наим.: SP000294824
Архив документации
SPP15N65C3_Rev_2_0.pdf
на сайте infineon.com
Поставщики «SPP15N65C3»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
Стандарт СИЗ
SPP15N65C3 (ST-STP21N65M5)
(Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.)
Texas
–
Да
ООО "АН-ЧИП"
SPP15N65C3
(микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 650V 15A TO-220 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
Infineon Technologies (IR)
–
33758
ООО "ЕК-Компонент"
SPP15N65C3
Infineon Technologies AG
–
5139
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
SPP15N65C3XKSA1
(N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробнее
)
Infineon Technologies
–
137681
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
SPP15N65C3HKSA1
(MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
Подробнее
)
Infineon Technologies
–
162576
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
SPP15N65C3
(yпаковка: TO220; год: 22+)
Infineon
–
45000
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
SPP15N65C3
(22+; год: 6579)
INFINEON/
220$
–
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED
SPP15N65C3
(год: 17)
INFINEON
–
5579
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED
SPP15N65C3
(год: 22+)
INFINEON
–
5579
ООО "АСПЕКТ"
SPP15N65C3
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
SPP15N65C3
–
–
от 7 дней
Дельта Электроника
SPP15N65C3XKSA1
–
–
6-8 недель
Дельта Электроника
SPP15N65C3XKSA1
–
140.3 р.
6-8 недель
Дельта Электроника
SPP15N65C3XKSA1
–
–
6-8 недель
Дельта Электроника
SPP15N65C3
–
186.7 р.
6-8 недель
Дельта Электроника
SPP15N65C3
–
157.24 р.
6-8 недель