Характеристики

STB14NM65N — MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Производитель: STMicroelectronics  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: MDmesh™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 650V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 50V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 125W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)  •  Встречается под наим.: 497-7000-1
Архив документации

Поставщики «STB14NM65N»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!STB14NM65N (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)STMicroelectronics24563
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!STB14NM65N (MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK Подробнее)STMicroelectronics139949
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!STB14NM65NSTMicroelectronics266
ООО "Интегральные схемы"STB14NM65Nот 7 дней
ООО "АСПЕКТ"STB14NM65Nот 7 дней
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdSTB14NM65N (Подробнее)STMicroelectronics35000
Chipbom Electronics LimitedSTB14NM65N (StockNew and Original; yпаковка: N/A; год: 23+)ST12800