Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) Производитель: STMicroelectronics • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Серия: STripFET™ • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 80A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5100pF @ 25V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 300W • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Архив документации | ![Скрыть](/static/search/close.gif) |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN (86) 15220089993, sales@geefook.com | ![Золотой партнер!](/static/search/flag_gold.gif) | STB200N4F3 (Подробнее) | STMicroelectronics | – | 35000 | ООО "ЕК-Компонент", Москва (495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru | ![Свежая информация по складу!](/static/search/flag_fresh.gif) | STB200N4F3 | VBsemi | – | 2316 | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong (86) 13512338801, sales8@digi-ic.com | ![Свежая информация по складу!](/static/search/flag_fresh.gif) | STB200N4F3 (MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Подробнее) | STMicroelectronics | – | 162264 | ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург (812) 922-25-39, order@an-chip.ru | ![Свежая информация по складу!](/static/search/flag_fresh.gif) | STB200N4F3 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21) | STMicroelectronics | – | 39101 | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | ![Золотой партнер!](/static/search/flag_gold.gif) | STB200N4F3 | – | – | от 7 дней | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | ![Золотой партнер!](/static/search/flag_gold.gif) | STB200N4F3 | – | – | от 7 дней |
|