Характеристики

STB200N4F3 — MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

Производитель: STMicroelectronics  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: STripFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 80A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 40V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5100pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 300W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Архив документации

Поставщики «STB200N4F3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
STB200N4F3 (Подробнее)STMicroelectronics35000
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
STB200N4F3VBsemi2316
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
STB200N4F3 (MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Подробнее)STMicroelectronics162264
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
STB200N4F3 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)STMicroelectronics39101
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
STB200N4F3от 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
STB200N4F3от 7 дней