Характеристики

STB20NM50FDT4 — MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

Производитель: STMicroelectronics  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: FDmesh™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 500V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1380pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 192W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)  •  Встречается под наим.: 497-6191-6
Архив документации

Поставщики «STB20NM50FDT4»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!STB20NM50FDT4 (MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK Подробнее)STMicroelectronics–147923
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!STB20NM50FDT4 (yпаковка: TO-263; год: 22+)ST–55000
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdSTB20NM50FDT4 (Подробнее)STMicroelectronics7.04$35000
ООО "Интегральные схемы"STB20NM50FDT4––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"STB20NM50FDT4––от 7 дней
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!STB20NM50FDT4 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)STMicroelectronics–24592
А-Поставщик ЭКБSTB20NM50FDT4 (В наличии на складе TC в КНР. Доставка РФ в срок от 2 недель; yпаковка: #N/A; год: 2021)ST–5000