Характеристики

STB230NH03L — MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Производитель: STMicroelectronics  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: STripFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 40A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4700pF @ 10V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 300W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)  •  Встречается под наим.: 497-7942-1
Архив документации

Поставщики «STB230NH03L»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!STB230NH03L (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)STMicroelectronics–39013
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!STB230NH03L (MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Подробнее)STMicroelectronics–161715
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!STB230NH03L (yпаковка: TO263; год: 22+)ST–45000
ООО "АСПЕКТ"STB230NH03L––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"STB230NH03L––от 7 дней
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdSTB230NH03L (Подробнее)STMicroelectronics–35000
Chipbom Electronics LimitedSTB230NH03L (StockNew and Original; yпаковка: N/A; год: 23+)ST–12800