Характеристики

STD1HNC60T4 — MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Производитель: STMicroelectronics  •  Серия: PowerMESH™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 600V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.5nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 228pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 50W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63  •  Встречается под наим.: 497-2485-2
Архив документации

Поставщики «STD1HNC60T4»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
STD1HNC60T4 (Подробнее)STMicroelectronics–35000
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
STD1HNC60T4VBsemi–2566
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
STD1HNC60T4 (MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Подробнее)STMicroelectronics–158461
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED, Changsha
(731) 85241908, Факс: (731) 85241908, claire2022@hkicstock.com
STD1HNC60T4 (год: 07+)ST–3851
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
STD1HNC60T4 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 600V 2A DPAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)STMicroelectronics–38270
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
STD1HNC60T4 (22+; год: 4851)ST252$–
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
STD1HNC60T4––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
STD1HNC60T4––от 7 дней