Характеристики

STFV4N150 — MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220FH

Производитель: STMicroelectronics  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: PowerMESH™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V (1.5kV)  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 40W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-220-3 Full Pack High Voltage  •  Встречается под наим.: 497-5093-5
Архив документации

Поставщики «STFV4N150»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
STFV4N150 (Подробнее)STMicroelectronics–35000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
STFV4N150 (yпаковка: TO220F; год: 22+)ST–45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
STFV4N150 (MOSFET N-CH 1500V 4A TO220 Подробнее)STMicroelectronics–160025
А-Поставщик ЭКБ, Москва
(495) 7840480, sales@asourcingelectronics.ru
STFV4N150 (В наличии на складе TC в КНР. Доставка РФ в срок от 2 недель; yпаковка: #N/A; год: 2021)ST–5000
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
STFV4N150 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220FH 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)STMicroelectronics–38612
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
STFV4N150––от 7 дней
STFV4N150_07––от 7 дней
STFV4N150_08––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
STFV4N150––от 7 дней
STFV4N150_07––от 7 дней
STFV4N150_08––от 7 дней