Характеристики

STI16NM50N — MOSFET N-CH 500V 15A I2PAK

Производитель: STMicroelectronics  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: MDmesh™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 7.5A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 500V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 50V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 125W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)
Архив документации

Поставщики «STI16NM50N»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdSTI16NM50N (Подробнее)STMicroelectronics–35000
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!STI16NM50N (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 500V 15A I2PAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)STMicroelectronics–38981
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!STI16NM50N (yпаковка: TO262; год: 22+)ST–45000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!STI16NM50N (MOSFET N-CH 500V 15A I2PAK Подробнее)STMicroelectronics–161612
ООО "Интегральные схемы"STI16NM50N––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"STI16NM50N––от 7 дней