Характеристики
STW13NM50N
— MOSFET N-CH 500V 12A TO-247
Дискретные полупроводники
»
MOSFET транзисторы (одиночные)
Производитель: STMicroelectronics
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Серия: MDmesh™
•
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 6A, 10V
•
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
•
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V
•
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A
•
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 960pF @ 50V
•
FET Polarity: N-Channel
•
FET Feature: Standard
•
Power - Max: 100W
•
Mounting Type: Through Hole
•
Package / Case: TO-247-3
•
Встречается под наим.: 497-7617-5, STW13NM50N-ND
Архив документации
stb13nm50n.pdf
на сайте st.com
Поставщики «STW13NM50N»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
ООО "Интегральные схемы"
STW13NM50N
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
STW13NM50N
–
–
от 7 дней
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
STW13NM50N
(22+; год: 1020)
ST
247$
–
Chipbom Electronics Limited
STW13NM50N
(StockNew and Original; yпаковка: N/A; год: 23+)
ST
–
12800
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
STW13NM50N
(yпаковка: TO247; год: 22+)
ST
–
45000
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
STW13NM50N
(
Подробнее
)
STMicroelectronics
–
35000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
STW13NM50N
(MOSFET N-CH 500V 12A TO247-3
Подробнее
)
STMicroelectronics
–
161636
ООО "АН-ЧИП"
STW13NM50N
(микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 500V 12A TO-247 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
STMicroelectronics
–
38990