Характеристики

STW13NM50N — MOSFET N-CH 500V 12A TO-247

Производитель: STMicroelectronics  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: MDmesh™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 6A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 500V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 960pF @ 50V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 100W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-247-3  •  Встречается под наим.: 497-7617-5, STW13NM50N-ND
Архив документации

Поставщики «STW13NM50N»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "Интегральные схемы"STW13NM50Nот 7 дней
ООО "АСПЕКТ"STW13NM50Nот 7 дней
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.STW13NM50N (22+; год: 1020)ST247$
Chipbom Electronics LimitedSTW13NM50N (StockNew and Original; yпаковка: N/A; год: 23+)ST12800
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!STW13NM50N (yпаковка: TO247; год: 22+)ST45000
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdSTW13NM50N (Подробнее)STMicroelectronics35000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!STW13NM50N (MOSFET N-CH 500V 12A TO247-3 Подробнее)STMicroelectronics161636
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!STW13NM50N (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 500V 12A TO-247 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)STMicroelectronics38990