Характеристики

STW14NM65N — MOSFET N-CH 650V 12A TO-247

Производитель: STMicroelectronics  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: MDmesh™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 650V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 50V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 125W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-247-3  •  Встречается под наим.: 497-7032-5
Архив документации

Поставщики «STW14NM65N»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!STW14NM65N (MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3 Подробнее)STMicroelectronics–161701
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!STW14NM65N (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 650V 12A TO-247 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)STMicroelectronics–27252
ООО "Интегральные схемы"STW14NM65N––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"STW14NM65N––от 7 дней
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdSTW14NM65N (Подробнее)STMicroelectronics–35000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!STW14NM65N (yпаковка: TO247; год: 22+)ST–45000