Характеристики

TIP112G — TRANS DARL NPN 2A 100V TO220AB

Производитель: ON Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A  •  Ток коллектора (макс): 2A  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V  •  Мощность макcимальная: 50Вт  •  Тип транзистора: NPN - Darlington  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)  •  Встречается под наим.: TIP112GOS
Архив документации

Поставщики «TIP112G»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!T92P7D52-12 (RELAY GEN PURPOSE DPST 30A 12V Подробнее)TE Connectivity Potter Brumfield Relays32.364$222
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdTIP112G (Подробнее)onsemi0.94$11
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!TIP112G (Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN Подробнее)ON Semiconductor0.882$737
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!TIP112G (yпаковка: TO220; год: 22+)ON45000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!TIP112G (yпаковка: TO-220; год: 22+)ON55000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!TIP112G (POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 10 Подробнее)onsemi633
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDTIP112G (год: 13+)ON125
ООО "Аркион"Свежие данные!TIP112G (TO-220 от 4-х недель; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: D/C: N/A)ON Semiconductor1650
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!TIP112G (микросхема интегральная электронная TRANS DARL NPN 2A 100V TO220AB 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)ON Semiconductor24698
Стандарт СИЗСвежие данные!TIP112G (Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.)ОригиналДа
ООО "ВолгаИнтеграл"Свежие данные!TIP112GOn Semiconductor2000
ООО "Интегральные схемы"TIP112Gот 7 дней
HK CARLACCI TRADING CO.,LIMITEDСвежие данные!TIP112G (yпаковка: TO-220)ON6126
ООО "АСПЕКТ"TIP112Gот 7 дней
Yee Hing Technology Co., LimitСвежие данные!TIP112G4940