Характеристики | Производитель: Toshiba • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 720pF @ 10V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 35W • Mounting Type: Through Hole • Package / Case: 2-10U1B • Встречается под наим.: TK12A60U(Q)-ND |
Архив документации | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong (86) 13512338801, sales8@digi-ic.com | | TK12A60U(Q,M) (MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS Подробнее) | Toshiba Semiconductor and Storage | – | 162081 | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | TK12A60U(Q) | – | – | от 7 дней | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | TK12A60U(Q) | – | – | от 7 дней |
|