Характеристики

TPC8014(TE12L,Q,M) — MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Производитель: Toshiba  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 5.5A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1860pF @ 10V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 2-6J1B
Архив документации

Поставщики «TPC8014(TE12L,Q,M)»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
TPC8014TE12L.Q.MTOSHIBA–1772
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
TPC8014(TE12L.Q.M) (yпаковка: SOP8; год: 22+)TOSHIBA/–45000
TPC8014(TE12L,Q,M) (yпаковка: SOP8/4.4MM; год: 22+)Toshiba–45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
TPC8014(TE12L,Q,M) (MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP Подробнее)Toshiba Semiconductor and Storage–162090
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
TPC8014(TE12L.Q.M) (22+; год: 2706)TOSHIBA8$–
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
TPC8014(TE12L,Q,M)––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
TPC8014(TE12L,Q,M)––от 7 дней