Характеристики | Производитель: Toshiba • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 9A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7480pF @ 10V • FET Polarity: P-Channel • FET Feature: Logic Level Gate • Power - Max: 1W • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: 8-SOIC • Встречается под наим.: TPC8114TE12LQMTR |
Архив документации | |
Поставщики «TPC8114(TE12L,Q,M)» | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | TPC8114(TE12L,Q,M) | – | – | от 7 дней | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | TPC8114(TE12L,Q,M) | – | – | от 7 дней | King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen (86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com | | TPC8114(TE12LQM) (22+; год: 7015) | TOS | 8$ | – | IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED, Changsha (731) 85241908, Факс: (731) 85241908, claire2022@hkicstock.com | | TPC8114(TE12LQM) (год: 0812+0806+) | TOS | – | 6015 |
|