Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) Производитель: Toshiba • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 5A, 4.5V • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 115nC @ 5V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9130pF @ 10V • FET Polarity: P-Channel • FET Feature: Logic Level Gate • Power - Max: 1W • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: 2-6J1B |
Архив документации | ![Скрыть](/static/search/close.gif) |
Поставщики «TPC8115(TE12LQM)» | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь (86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com | ![Свежая информация по складу!](/static/search/flag_fresh.gif) | TPC8115(TE12L,Q,M) (yпаковка: SOP8/4.4MM; год: 22+) | Toshiba | – | 45000 | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong (86) 13512338801, sales8@digi-ic.com | ![Свежая информация по складу!](/static/search/flag_fresh.gif) | TPC8115(TE12L,Q,M) (MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP Подробнее) | Toshiba Semiconductor and Storage | – | 162101 |
|