Характеристики | Производитель: Toshiba • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 3.5A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25.4nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1270pF @ 10V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Logic Level Gate • Power - Max: 700mW • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: VS-8 (2-3U1A) • Встречается под наим.: TPCF8001TR |
Архив документации | |
Поставщики «TPCF8001(TE85L)» | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | TPCF8001(TE85L) | – | – | от 7 дней | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | TPCF8001(TE85L) | – | – | от 7 дней |
|