Характеристики | Производитель: Toshiba • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 3A, 4.5V • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 5V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1550pF @ 10V • FET Polarity: P-Channel • FET Feature: Logic Level Gate • Power - Max: 700mW • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: VS-8 (2-3U1A) |
Архив документации | |
Поставщики «TPCF8102(TE85L,F,M» | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong (86) 13512338801, sales8@digi-ic.com | | TPCF8102(TE85L,F,M (MOSFET P-CH 20V 6A VS-8 Подробнее) | Toshiba Semiconductor and Storage | – | 162117 | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | TPCF8102(TE85L,F,M | – | – | от 7 дней | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | TPCF8102(TE85L,F,M | – | – | от 7 дней |
|